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“北京富世佳兴富士电机半导体技术研讨会”成功召开

来源:转载 作者: 时间:2008-05-26 Tag: 点击:
为了进一步加强与合作伙伴的技术支持,2008年5月22日,“2008年北京富士电机半导体技术研讨会”在北京湖北大厦成功召开,北京富世佳兴电子器件技术有限公司与日本富士电机半导体事业部部长五十岚征辉博士、日本富士电机香港公司陈国顺副经理及其它各公司高层与会代表济济一堂, 共同探讨富士大功率IGBT的应用。

本次会议的主要内容包括以下几个方面:

1、富士电机产品系列、芯片厂家的技术比较、设计理念

2、各种应用的IGBT模块选型例子

3、富士电机第五代IGBT-U4系列的性能及特点

4、富士电机第六代IGBT-V系列的介绍

5、解释IGBT各种特性、散热设计、驱动设计

6、富士电机IGBT模块功率损耗仿真软件应用

 

 

与会代表近120多人, 有多位代表就各自关心的问题进行了探讨。

通过此次会议,公司高层对今后的合作充满信心,2008年北京富世佳兴将一如既往,进一步稳固自己的渠道体系,在未来的日子续写辉煌!

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