- 美国能源部固态照明商品第二轮产品测试结果总结
- 继美国能源部固态照明商品测试工程第一轮测试（2006年12月-2007年2月）后，第二轮测试（2007年3月-5月）也已经结束。 这一轮共测试了13种代表一系列应用、设计和制造商的SSL产品。所有产品都采用分光辐射测试法、测角光度测量法，并对温度测试（对灯具的最高可接近热点...
- 作者：发表于：2008-05-31 17:36:01 点击：7 评论：0 查阅全文...
- 高光通量与大功率LED及其应用
- 高光通量与大功率LED及其应用 对于这些方案进行了详细的对比。大功率LED是达到高光通量的最重要手段之一。用大功率LED照明有很多优点，也有缺点。如何用好大功率LED是关键，同时，本文对于大功率LED照明产品与传统照明产品做了比较，也对高光通LED在照明领域的应用进行...
- 作者：发表于：2008-05-31 17:30:22 点击：6 评论：0 查阅全文...
- 我国半导体照明产业存在的主要问题
- 我国半导体照明产业具有很好的发展前景和巨大的潜力，但必须看到除了中低档LED封装和下游应用产品已形成较大的规模，并在世界上占有一定的地位外，我国半导体照明产业与国外相比尚存在较大的差距，主要表现在： 国家尚未有明确的政策来支持半导体照明产业的发展，政府的...
- 作者：山东照明网编辑发表于：2008-05-30 07:26:53 点击：6 评论：0 查阅全文...
- 我国半导体照明产业技术发展现状
- 我国LED起步于七十年代，八十年代形成产业，九十年代已具相当规模。在90年代后期，我国超高亮度LED产业迅猛发展，经历了进口器件销售进口管芯封装（1998年前100%进口）进口外延片制成管芯并封装自主生产四个阶段。根据中国光学光电子协会光电器件分会的统计,现在全国共...
- 作者：山东照明网编辑发表于：2008-05-30 07:25:43 点击：15 评论：0 查阅全文...
- 国外半导体照明产业技术线图2
- （4） 韩国 韩国的固态照明计划经政府审议批准，2004-2008年国家投入1亿美元，企业提供30%的配套资金，近期开始实施，预期2008年达到80 lm／W。 韩国政府组织里有2 个产业相关单位，一是主管工商业与能源的产业资源部以及主管财经的财政经济部。产业资源部表示，目前产...
- 作者：山东照明网编辑发表于：2008-05-30 07:24:50 点击：5 评论：0 查阅全文...
- 国外半导体照明产业技术线图1
- （1） 美国 2001年7月在美国半导体照明技术蓝图的基础上，美国能源部启动一项名为Next-Generation Lighting Initiative (NGLI)计划，即下一代照明计划。这项计划提案的目标是要联合产业界、大学和国家重点实验室的力量，加速半导体照明技术的发展和应用。这项议案从200...
- 作者：发表于：2008-05-30 07:23:44 点击：6 评论：0 查阅全文...
- LED国外主要厂家及技术优势2
- （4）Cree Cree是目前世界上采用SiC作为衬底材料制造525 nm可见光波段发光二极管用外延片和芯片的专业公司之一。由于采用与众不同的外延衬底材料，有关Cree的工艺技术资料公诸不多。昂贵的SiC衬底材料和世界为数很少的SiC衬底制造公司严重局限了SiC作为衬底材料的广泛...
- 作者：发表于：2008-05-30 07:18:46 点击：8 评论：0 查阅全文...
- 国外主要厂家及技术优势1
- （1） Nichia Nichia作为世界上最早研究成功并生产蓝光和白光发光二极管的公司，在AlInGaN基短波长可见发光二极管外延、芯片和二极管的性能方面一直处于领先地位。由于在InGaN LED技术和生产白色LED的荧光粉材料上拥有多项专利，在InGaN白色LED芯片供应上一直占有统治...
- 作者：发表于：2008-05-30 07:16:45 点击：8 评论：0 查阅全文...
- LED外延片--外延工艺
- 由LED工作原理可知，外延材料是LED的核心部分，事实上，LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。发光二极管对外延片的技术主要有以下四条： ①禁带宽度适合。 ②可获得电导率高的P型和N型材料。 ③可获得完整性好的优质晶体。 ④发光复合几...
- 作者：发表于：2008-05-30 07:15:13 点击：6 评论：0 查阅全文...
- LED外延片--衬底材料
- 衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。衬底材料的选择主要取决于以下九个方面： [1]结构特性好，外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失...
- 作者：发表于：2008-05-30 07:14:19 点击：7 评论：0 查阅全文...
- 芯片技术发展趋势
- 目前的外延技术可以使得InGaN有源层在常温和普通注入电流条件下的内量子效率达到90-95%，但当温度升高时，内量子效率会有较大的下降，因此要提高发光效率必须控制结温和提高出光效率。基于这点，技术发展趋势如下： 1 ）衬底剥离技术（Lift-off） 这项技术首先由美国惠...
- 作者：发表于：2008-05-30 07:13:34 点击：7 评论：0 查阅全文...
- LED芯片的技术发展状况
- 对于标准管芯（200-350m2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mW，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mW，其外量子效率为34.9%。美国Cree公司可以提供功率大于15 mW 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mW的紫光发光芯片（395～410 nm...
- 作者：发表于：2008-05-30 07:12:45 点击：6 评论：0 查阅全文...
随机推荐
热门关注