- 编辑词条电流变送器2008-10-10 06:24:17
- 电流变送器可以直接将被测主回路交流电流转换成按线性比例输出的DC4～20mA（通过250Ω 电阻转换DC 1～5V或通过500Ω电阻 转换DC2～10V）恒流环标准信号，连续输送到接收装置（计算机或显示仪表）。 电流变送器原副边高度绝缘隔离，两线制输出接线，辅
- 背光源2008-10-10 06:22:20
- 所谓背光源（BackLight）应该是位于液晶显示器（LCD）背后的一种光源，它的发光效 果将直接影响到液晶显示模块（LCM）视觉效果。液晶显示器本身并不发光，它显示图形或字符是它对光线调制的结果。 一、用于背光源的光源： 在背光源的设计中，所用光源
- 背光源2008-10-10 06:22:20
- 所谓背光源（BackLight）应该是位于液晶显示器（LCD）背后的一种光源，它的发光效 果将直接影响到液晶显示模块（LCM）视觉效果。液晶显示器本身并不发光，它显示图形或字符是它对光线调制的结果。 一、用于背光源的光源： 在背光源的设计中，所用光源
- 待机调光模式的电荷泵背光LED驱动IC2008-10-10 06:19:43
- 小尺寸的LCD显示模块早已成为手持式数码产品的重要组成部分，随着消费者对视觉方面要求的提高，LCD显示模块的设计变得越来越重要。如何在1.8寸至2.8寸的LCD屏上显示更多的信息并提高显示质量达到更好的视觉效果，成为众多手持式数码产品设计者的重点之一。除了提高LCD屏
- 手持设备LCD背光LED驱动方案浅述2008-10-10 06:18:16
- LED自问世以来，就得到人们的极大关注，LED驱动器件和驱动方式不断更新以便更加有效地驱动LED为人类照明。从早期的DC/DC开关电源到电荷泵，以及追求成本的低边驱动和LDO,人们在不同的应用情况下选用不同的驱动线路，作为市场关注的热点，便携产品的显示背光是LED背光
- 针对大功率LED应用的低成本电源2008-10-10 06:17:18
- 由于大功率LED越来越多地应用于普通照明，市场对驱动这些LED的离线电源的需求日益增加。由于LED的V-I(电压-电流)特性，这种电源的输出电流必须是恒流。本文将讨论以飞兆功率开关(FPS)为基础的电源，通过初级端调节实现次级恒流输出。由于该电源无需运算放大器和光耦
- 光源演色性 2008-10-10 06:15:19
- 一般认为人造光源应让人眼正确地感知色彩,就如同在太阳光下看东西一样.当然这需视应用之场合及目的而有不同之要求程度.此准据即是光源之演色特性,称之为" 平均演色性指数(general color rendering index, (Ra)".平均演色性指数为对象在某光源照射下显示之颜色
- LED显示屏基本构成图解与产品分类2008-10-10 06:13:28
- LED显示屏的基本构成 像素pixEL LED显示屏的最小成像单元。俗称“点”或“像素点”。 请参阅以下图片： 显示模块display module 由若干个显示像素组成的，结构上独立的组成LED显示屏的最小单
- 户外全彩LED显示屏设计方案范本2008-10-10 05:55:36
- LED显示屏是集光电子技术，微电子技术，计算机技术和视频技术为一体的高科技产品，它的发光部分由LED（即光发二极管）拼装组成的，其优点是耗电量少，亮度高，工作电压低，驱动简单，寿命长，性能稳定。显示屏面积可以根据需要由单元模块任意拼装，响应速度快。 LED
- LED外延片相关资料2008-10-09 05:14:35
- 外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和SiC，Si）上，气态物质In,Ga,Al,P有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 MOCVD 金属有机物化学气相淀积（Metal-OrganicChemi
- LED外延片相关资料2008-10-09 05:14:35
- 外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和SiC，Si）上，气态物质In,Ga,Al,P有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 MOCVD 金属有机物化学气相淀积（Metal-OrganicChemi
- LED芯片(led chip)的制造工艺流程MOCVD技术2008-10-09 05:12:42
- 外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 MOCVD介绍： 金属有机物化
- LED晶片测试仪规格书2008-10-09 05:11:10
- LED晶片测试系统架构 1）、一个高精度2048像素线性CCD 矩阵式积分光谱分析仪. 2）、高精度控制板卡一套 3）、工业用计算机主机一台 4）、WindowsNT中文操作系统 2、晶片测试系统规格 1）、恒流源 I） ± 1mA 精度: 0.03uA II） ± 200mA 精度: 6u